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功率模塊是電力電子器件按一定功能組合再封成模塊。

功率模塊

具有GTR高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點(diǎn)MOSFET輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)頻率高、驅(qū)動(dòng)功率低等優(yōu)點(diǎn)。IPM邏輯、控制、檢測(cè)和保護(hù)電路的內(nèi)部集成，使用方便，不僅減少了系統(tǒng)的體積和開(kāi)發(fā)時(shí)間，而且大大提高了系統(tǒng)的可靠性，適應(yīng)了模塊化、復(fù)合和功率集成電路的發(fā)展方向(PIC)，電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。

功率模塊的工作原理主要涉及將功率電力電子器件按一定的功能組合再灌封成一個(gè)模塊，這個(gè)模塊通常包括絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等功率半導(dǎo)體器件。IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）的高輸入阻抗和雙極型三極管（GTR）的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)，具有驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低的特性。